2012年全球前5大半導(dǎo)體廠資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)64%

　　根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)，2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出約614億美元，相較于2011年656億美元約下滑6%，但其中有6家半導(dǎo)體業(yè)者在2012年的資本支出會(huì)較前一年增加，而前5大半導(dǎo)體廠的資本支出分別為三星電子131億美元、英特爾112億美元、臺(tái)積電約83億美元、海力士約37億美元、GlobalFoundries約31億美元。

　　對(duì)比7年前，也就是2005年時(shí)，全球前5大半導(dǎo)體廠的資本支出僅占全球40%，前10大半導(dǎo)體廠資本支出也僅占55%，顯見全球半導(dǎo)體廠未來(lái)是往經(jīng)濟(jì)規(guī)模越大者靠攏，且晶圓代工產(chǎn)業(yè)會(huì)是半導(dǎo)體廠紛紛欲跨入的領(lǐng)域。

　　在臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面，過去是以晶圓代工和存儲(chǔ)器為主，但自從DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸沒落后，未來(lái)的成長(zhǎng)動(dòng)能會(huì)集中在晶圓代工產(chǎn)業(yè)身上，而2012年臺(tái)積電和聯(lián)電分別有在南科擴(kuò)產(chǎn)12寸晶圓廠的動(dòng)作。