動態無功補償設備
應用背景
一是變電站電容器組的投切方式大多為手動投切。如果根據“任何時刻不過補”的原則手動投入電容器，會導致大量的電容器在變電站里被閑置，使設備利用率降低。為避免上述情況，有的變電站根據負荷的需要改動電容器組內投入電容器的數量。但這樣又改變了串聯電抗器與電容器的比例，存在諧振的危險，技術上也存在隱患。
二是即使安裝了電壓無功調整裝置的變電站，頻繁投切也會帶來相當嚴重的隱患。由于投切機構為接觸器或斷路器，無法適應不斷變化的無功負荷的需要，因此頻繁投切很容易對電網造成沖擊，致使電容器接觸器與斷路器損壞。信息請登陸:輸配電設備網
為確保任何時刻變電站的無功控制都處于*佳狀態，變電站需要一種具有動態、連續調節能力的無功調節手段，磁控電抗器(MCR)因此得到應用。
MCR技術原理
MCR源自磁放大器以及傳統飽和電抗器。但是這兩種產品響應速度慢、損耗大、噪音大、諧波大，長期以來沒有得到廣泛應用。“磁閥”概念的提出，大大改善了飽和電抗器在損耗、噪音以及諧波等方面的性能，為飽和電抗器性能上的突破奠定了基礎;而控制技術與電力電子在飽和電抗器中的**應用，更是從根本上改變了傳統飽和電抗器響應速度慢和控制難度高的缺點。一種高度可靠、更低損耗、更低諧波、更小占地面積、更易維護且基本免維護的高低壓動態無功補償裝置MCR，為廣大用戶提高功率因數、改善電能質量、提高自動運行水平，提供了全新的選擇。
MCR由一個四柱鐵芯和繞組組成，中間兩個鐵芯柱為工作鐵芯。由于可控硅接于控制繞組上，其電壓很低，約為系統額定電壓的1%左右，從而大大提高了運行可靠性。當工作繞組兩端接上交流電壓時，控制繞組就會感應出相應的電壓。以控制繞組的匝數為工作繞組的1%計，可控硅T1和T2上的電壓僅為工作電壓的1%，通過控制T1、T2的觸發角即可控制直流激磁。觸發角越小，鐵芯飽和度越高，電抗器的感抗越小。因此，只要控制T1和T2的觸發角大小，就可以平滑地調節MCR的容量。此外，MCR具有自耦勵磁功能，省去了單獨的直流控制源。MCR的另一特點，是小截面鐵芯處于極限飽和狀態，而其他鐵芯則處于不飽和狀態，這就降低了有功損耗，降低了諧波含量，噪聲也變得較小。
MCR應用實例
將MCR技術用于變電站的無功補償系統，將使變電站的無功裝備水平產生質的飛躍，大幅提高變電站無功補償精度和快速調節能力。MCR技術在實現高功率因數的同時，使變電站的無功調節從手動、分級、有觸點的調節方式升級為自動、連續、無觸點的調節方式，避免了電容器投切動作，有效改善了電壓質量，大幅降低了有載調壓開關的動作次數，使現有電容器得到了*大限度利用，延長了設備壽命，進而提高電網的**運行水平。