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      igbt模塊參數(shù)介紹

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      點(diǎn)擊量: 221091 來源: 北京捷拓紫荊科技有限公司

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        IGBT參數(shù)

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù):集電極、發(fā)射極間電壓(符號:VCES):柵極、發(fā)射極間短路時的集電極,發(fā)射極間的*大電壓

        IGBT(絕柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 柵極發(fā)極間電壓(符號:VGES ):集電極、發(fā)射極間短路時的柵極,發(fā)射極間*大電壓

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 集電極電流(符號:IC ):集電極所允許的*大直流電流

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 耗散功率(符號:PC):單個IGBT所允許的*大耗散功率

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 結(jié)溫(符號:Tj):元件連續(xù)工作時芯片溫廈

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 關(guān)斷電流(符號:ICES):柵極、發(fā)射極間短路,在集電極、發(fā)射極間加上指定的電壓時的集電極電流。

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 漏電流(符號:IGES):集電極、發(fā)射極間短路,在柵極、集電極間加上指定的電壓時的柵極漏電流

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 飽和壓降(符號:V CE(sat)):在指定的集電極電流和柵極電壓的下,集電極、發(fā)射極間的電壓。

        IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 輸入電容(符號:Clss):集電極、發(fā)射極間處于交流短路,在柵極、發(fā)射極間及集電極、發(fā)射極間加上指定電壓時,柵極、發(fā)射極間的電容

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